概要：山东博纳集团深耕半导体抛光液分离纯化，在抛光液的浓缩、纯化领域开发了高效、高质量的膜分离纯化工艺，提高了产品质量、稳定性。

近年来，半导体材料作为一种新兴的产业，在高新技术和国民经济等领域占有越来越重要的地位，高效地制备超光滑、表面无缺陷的半导体晶片具有十分重要的科学意义以及市场应用前景。

抛光液是化学机械抛光技术的核心，对化学机械抛光过程中的化学作用和机械作用起着决定性的作用，抛光液的质量直接影响半导体晶片的质量。一般来说，抛光液由磨粒、氧化剂、去离子水和添加剂（分散剂、钝化剂、pH调节剂、缓蚀剂、催化剂、螯合剂等）组成。最常用的磨粒主要有三种，即二氧化硅、二氧化铈和氧化铝。

以二氧化硅为例，经硅酸钠和有机硅酸盐水解可制得所需粒径大小及分布均匀的胶体二氧化硅颗粒，形状呈规则的圆形，且化学性质稳定，硬度适中。然而，胶体二氧化硅溶液中不可避免地含有大量的钠离子，这些钠离子存在于器件隔离氧化层中，少量钠离子就会影响集成电路电压的稳定性。

磨粒浓度影响材料去除率和表面质量。在CMP抛光工艺中，材料去除率随着磨粒浓度变化的趋势基本一致，受限于工艺控制，合成的硅溶胶浓度较低，需要将提高硅溶胶浓度以满足后续工艺要求。

针对抛光液金属离子浓度高、磨粒浓度低的问题，博纳集团采用错流过滤方式，进行膜选型和设备选型，开发膜分离和膜浓缩工艺，降低金属离子浓度至PPB级别，提高磨粒浓度至40wt%以上。

错流过滤又称为交叉流过滤、切向流过滤。这种过滤方式具有过滤阻力小、膜面污堵轻、过滤效率高、可线性放大和适合工业化生产的特点。抛光液中粒子一般为微米或纳米级别，直流过滤方式或离心方式无法满足工业化生产，采用错流过滤方式，抛光液在压力的作用下，以切向角度通过膜面，透过液垂直透过膜面，避免了纳米粒子在过滤过程形成凝胶的现象，达到了磨粒浓缩和金属离子洗滤的目的。

配合膜选型、设备选型、材质选型和过滤参数确定，成功实现小试、中试及生产规模膜过滤系统的设计和制造，制备得到高品质抛光液产品。

山东博纳集团深耕膜分离技术及其应用工艺多年。在研发过程中，不仅专注于工艺开发的创新，还致力于设备装置的优化升级。通过多年的不懈努力，我们积累了丰富的产品纯化经验和工程化放大经验，成功攻克了一系列工艺制造难题，显著提升了最终产品的质量和纯度。我们的努力不仅赢得了客户的广泛认可，更实现了与客户的互相赋能、共赢发展。