硅溶胶（Colloidal Silica）为二氧化硅纳米级粒子在水中形成的胶体，具有无臭、无毒、乳白色特征，粒径10-20nm，高比表面积，分散性与渗透性优异，广泛用于粘合剂、抛光剂等领域。电子级硅溶胶纯度 ≥99.999%，其具有高比表面积、低金属离子、低大颗粒污染三大优势，是半导体、先进封装、蓝宝石、SiC 晶圆化学机械抛光（CMP）的电子抛光液的核心成分。

纳米级硅溶胶的制备方法包括：高纯水玻璃离子交换制备、高纯硅粉溶解法、溶胶-凝胶法、水玻璃酸中和法、微乳液法等。

硅溶胶按照体系的酸碱度，可分为偏酸性、中性、偏碱性产品。

硅溶胶产品的纯化包括，硅溶胶的浓缩、反应体系中小分子杂质的去除（特别是金属离子的去除）。

膜过滤法在硅溶胶产品纯化中，有广泛应用。

1. 硅溶胶的浓缩

电子级硅溶胶除了粒径大小和均一性要求外，通常要求硅溶胶浓度达到10~40%。

膜过滤浓缩，低温脱水，金属离子零新增，具有能耗低、精度高的特点，可通过高精度滤芯实现浓度达到35~40%。采用错流过滤方式，避免污堵，提高过滤通量和浓缩效率。

博纳科技针对不同粒径硅溶胶膜过滤浓缩工艺，在浓缩倍数、污堵控制、收率、过滤通量、浓缩液收集、工艺放大等方面，已进行深入研究；在硅溶胶浓缩膜过滤系统的设计、生产制造、调试、运行保障，已积累大量工程经验。

2. 金属离子的去除

电子级硅溶胶要求总金属离子含量≤1 ppm，甚至＜5ppb。特别是体系中的痕量Fe3+、Al3+残留。采用膜过滤方式，避免了离子交换树脂法的繁琐和低效，更降低劳动强度、减少物料损失。最重要的是，经浓缩、洗滤，一次性得到金属离子残留合格的产品。

针对金属离子含量达到ppb级别的产品，常规过滤方法已经很难满足质量要求。博纳科技已开发金属离子溶出更低的的膜元件和膜过滤系统，避免可能存在的金属离子残留影响。配合物料预处理控制、高纯水洗滤工艺，完全满足高质量要求，并且膜系统稳定高效运行，实现连续化自动化生产。

博纳科技专注于物料分离领域，致力于膜分离技术的应用工艺开发，积累了丰富的产品纯化经验和工程化放大经验，将工艺、膜元件与设备相结合，为客户提供技术和解决方案，提供小型实验机、中试试验机和生产设备，从工艺路线到生产设备，提供全方位服务，与客户一道共同提升产品质量和市场竞争力。